Выбор оперативной памяти

2012-07-17T17:36:52+04:00 2020-08-20T18:29:07+03:00
+ 1
Группа: Живущий здесь
Сообщений: 235
20:19, 06.02.2020 №136
+ 2
 
Micron начала поставки оперативной памяти LPDDR5

Компания Micron объявила, что первая партия оперативной памяти LPDDR5 для смартфонов находится в массовом производстве и уже поставляется клиентам. Новые чипы значительно быстрее и эффективнее, чем LPDDR4x.
Прикрепленная картинка

LPDDR5 от Micron доступна в упаковках по 6, 8 и 12 Гбайт и предлагает скорость в 5,5 Гбит/с и 6,4 Гбит/с на контакт. Последний показатель на 50 % выше, чем у самых быстрых чипов LPDDR4x (4266 Мбит/с на контакт). Micron также заявила о снижении энергопотребления на 20 % по сравнению с LPDDR4x.

Компания обещает вскоре предложить многочиповые упаковки объединяющие кристаллы LPDDR5 и скоростные накопители UFS на основе флеш-памяти — эти продукты будут доступны в течение первой половины года и, видимо, позволят производителям экономить не только средства, но и внутреннее пространство смартфонов.

Наиболее заметными направлениями использования чипов LPDDR5 станут, безусловно, флагманские смартфоны этого года. Однако Micron также нацеливается на автомобильную электронику и сетевое оборудование — распространение 5G и технологий машинного обучения стимулирует спрос на более быструю память.

Одним из первых продуктов, который будет использовать новый тип оперативной памяти LPDDR5, станет новый флагманский смартфон Xiaomi Mi 10. Впрочем, ZTE тоже объявила об использовании такой памяти в грядущем аппарате Axon 10s Pro на базе Qualcomm Snapdragon 865.

здесь
Группа: Downloader
Сообщений: 955
17:11, 28.02.2020 №137
+ 2
 
Samsung начинает серийный выпуск первых в отрасли микросхем памяти LPDDR5 DRAM объемом 16 ГБ

Прикрепленная картинка


Эти микросхемы предназначены для смартфонов верхнего сегмента

Компания Samsung объявила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти LPDDR5 DRAM объемом 16 ГБ. Эти микросхемы предназначены для смартфонов верхнего сегмента. По словам южнокорейского производителя, появление таких микросхем будет способствовать внедрению в смартфонах преимуществ, связанных с 5G и ИИ, включая «богатые графикой игры и умную фотографию».


Новые микросхемы памяти поддерживают передачу данных со скоростью 5500 Мбит/с, что примерно в 1,3 раза выше показателя памяти LPDDR4X, работающей со скоростью 4266 Мбит/с. По сравнению с микросхемой LPDDR4X объемом 8 ГБ обеспечивается снижение энергопотребления более чем на 20% при удвоении объема.

В корпусе новой микросхемы находится двенадцать кристаллов: восемь плотностью по 12 Гбит и четыре плотностью по 8 Гбит.

Источник:

https://www.ixbt.com/news/2020/02/25/samsung-lpddr5-dram-16.html
Сколько бы ты не желал знать. Сколько бы ты не хотел чего либо иметь тебе всегда будет мало. Но лишь в конце ты осознаешь,что ты имеешь и имел всё о чём мог мечтать. А ведь этого не имели другие. А порой даже не знали об том что ты имеешь,чтобы хотеть иметь это.

Чем больше даёшь другим,тем больше тебе воздастся в будущем.

Халява есть всегда,просто некоторым лень её искать. Дари благо пока жив ибо тёмные времена наступают.

ОС:Windows 8.1 x64,Intel core i5 3550k 3.7 ггц ОЗУ 8 Gig,Nvidia GeForce GTX 1050
Группа: Downloader
Сообщений: 955
15:20, 13.03.2020 №138
+ 2
 
Micron начинает поставки образцов первых в отрасли многокристальных компонентов, в которых хранилище UFS объединено с памятью LPDDR5

Прикрепленная картинка


Когда новые компоненты появятся в серийных смартфонах, пока неизвестно

Компания Micron сообщила о начале поставок многокристальных компонентов uMCP, в которых хранилище на базе флеш-памяти, соответствующее спецификации UFS, объединено с оперативной памятью LPDDR5. Эти компактные компоненты с низким энергопотреблением предназначены для смартфонов. По сравнению двумя отдельными микросхемами они занимают на 40% меньше места.


По словам производителя, это первый многокристальный компонент такого рода с памятью LPDDR5. В корпусе uMCP с 297 выводами упаковано 12 ГБ памяти DRAM, изготовленной по нормам 1y нм и работающей в двухканальном режиме со скоростью до 6500 Мбит/с в расчете на линию, и 256 ГБ 96-слойной флеш-памяти 3D NAND.

Когда новые компоненты появятся в серийных смартфонах, пока неизвестно.


Источник:
https://www.ixbt.com/news/2020/03/11/micron-ufs-lpddr5.html
Сколько бы ты не желал знать. Сколько бы ты не хотел чего либо иметь тебе всегда будет мало. Но лишь в конце ты осознаешь,что ты имеешь и имел всё о чём мог мечтать. А ведь этого не имели другие. А порой даже не знали об том что ты имеешь,чтобы хотеть иметь это.

Чем больше даёшь другим,тем больше тебе воздастся в будущем.

Халява есть всегда,просто некоторым лень её искать. Дари благо пока жив ибо тёмные времена наступают.

ОС:Windows 8.1 x64,Intel core i5 3550k 3.7 ггц ОЗУ 8 Gig,Nvidia GeForce GTX 1050
Группа: Живущий здесь
Сообщений: 235
16:59, 03.04.2020 №139
+ 2
 
SK Hynix начинает выпуск памяти нового типа, DDR5-8400 на горизонте

Поскольку конкуренты и партнёры всё чаще подталкивают к производству микросхем памяти типа DDR5, южнокорейская компания SK Hynix не смогла долго молчать о своих инициативах в этой сфере. Она начинает серийный выпуск DDR5 в этом году, а в перспективе рассчитывает покорить рубеж DDR5-8400.

Прикрепленная картинка


SK Hynix на страницах корпоративного сайта не без гордости напомнила, что ещё в ноябре 2018 года разработала микросхему DDR5 на 16 Гбит, и её позже сертифицировал комитет JEDEC. В свежей публикации компания поведала о преимуществах и некоторых характеристиках памяти типа DDR5, которую она начнёт серийно выпускать в текущем году.

Прикрепленная картинка


При проектировании SK Hynix закладывала достижение режима DDR5-4800, как минимум, но сам стандарт позволит компании создавать память до DDR5-8400 включительно. Существенное увеличение пропускной способности станет не единственным преимуществом памяти типа DDR5. Количество банков памяти будет увеличено с 16 до 32 штук. За одну передачу будет осуществляться до шестнадцати операций чтения-записи вместо прежних восьми. Функция Same Bank Refresh позволит системе сохранять доступ к остальным банкам памяти в момент, когда один из них обновляет содержимое. Наконец, будет внедрена функция коррекции ошибок непосредственно на уровне кристалла, а также функция подавления помех.

Номинальное напряжение будет снижено с 1,2 В до 1,1 В, что ожидаемо позволит снизить удельное энергопотребление на величину до 20 % в пересчёте на пропускную способность по сравнению с DDR4. Компания SK Hynix начнёт выпуск микросхем DDR5 ёмкостью 16 Гбит по литографической технологии 10-нм класса. Со временем она предложит монолитные кристаллы DDR5 на 24 Гбит. По прогнозам IDC, уже в 2021 году 22 % спроса будут приходиться на память типа DDR5, а через год показатель вырастет до 43 %.

здесь
Группа: Downloader
Сообщений: 955
16:19, 14.05.2020 №140
0
 
Micron увеличивает выпуск DDR4 DRAM по нормам 1z нм(14-15 нм)

Прикрепленная картинка


Это обозначение соответствует диапазону 12-14 нм

Со ссылкой на отраслевые источники сайт DigiTimes сообщил, что компания Micron наращивает производство памяти DDR4 DRAM по нормам 1z нм. Это обозначение соответствует диапазону 12-14 нм, а соответствующий техпроцесс является наиболее передовым, освоенным в серийном производстве DRAM. Рост спроса на эту память преимущественно связан с выпуском модулей DRAM объемом 16 ГБ для настольных компьютеров и ноутбуков.


Одновременно Micron ощущает рост заказов на чипы DRAM, выпускаемые по нормам 1y нм (14-16 нм), поскольку спрос на память в обозримой перспективе будет увеличиваться.

По словам источника, хотя уже появляется память DDR5 и поддерживающие ее системы, увеличение выпуска памяти DDR4 по нормам 1z нм, предпринимаемое Micron, имеет смысл, поскольку подавляющее большинство потребностей рынка пока связано именно с DDR4. Кроме того, Micron, вероятно, рассчитывает использовать опыт, накопленный на производстве по нормам 1z нм, для первых изделий DDR5, которые будут выпускаться исключительно по этой технологии.

источник:

https://www.ixbt.com/news/2020/05/14/ddr4-dram-1z.html
Сколько бы ты не желал знать. Сколько бы ты не хотел чего либо иметь тебе всегда будет мало. Но лишь в конце ты осознаешь,что ты имеешь и имел всё о чём мог мечтать. А ведь этого не имели другие. А порой даже не знали об том что ты имеешь,чтобы хотеть иметь это.

Чем больше даёшь другим,тем больше тебе воздастся в будущем.

Халява есть всегда,просто некоторым лень её искать. Дари благо пока жив ибо тёмные времена наступают.

ОС:Windows 8.1 x64,Intel core i5 3550k 3.7 ггц ОЗУ 8 Gig,Nvidia GeForce GTX 1050
Группа: Downloader
Сообщений: 955
17:24, 23.05.2020 №141
0
 
Дизайнеры модулей памяти Antec Katana DDR4 вдохновлялись внешним видом японских мечей

Прикрепленная картинка


Подсветка модулей памяти Katana совместима с распространенными системами управления подсветкой

Компания Antec представила модули памяти Katana DDR4. Как несложно понять по названию, дизайнеры этих модулей вдохновлялись внешним видом японских мечей. Ассоциации с оружием самураев прослеживаются и обводах радиатора и светорассеивающей вставки.


Конечно, алюминиевый радиатор, окрашенный в черный цвет, выполняет не только декоративную функцию, но и отводит тепло от микросхем памяти, что может быть необходимо при работе на повышенных частотах. Что касается штатных частот, предложены модули DDR4-3200 и DDR4-3600 объемом 8 ГБ. Они работают с задержками 16-18-18-38 и 18-20-20-44 соответственно при напряжении питания 1,35 В. Модули скомплектованы в двухканальные наборы объемом 16 ГБ и поддерживают профили XMP 2.0. Их габариты равны 133,8 х 45,9 х 8,6 мм.

Подсветка модулей памяти Katana совместима с распространенными системами управления подсветкой, продвигаемыми производителями системных плат.

Источник:

https://www.ixbt.com/news/2020/05/20/antec-katana-ddr4.html
Сколько бы ты не желал знать. Сколько бы ты не хотел чего либо иметь тебе всегда будет мало. Но лишь в конце ты осознаешь,что ты имеешь и имел всё о чём мог мечтать. А ведь этого не имели другие. А порой даже не знали об том что ты имеешь,чтобы хотеть иметь это.

Чем больше даёшь другим,тем больше тебе воздастся в будущем.

Халява есть всегда,просто некоторым лень её искать. Дари благо пока жив ибо тёмные времена наступают.

ОС:Windows 8.1 x64,Intel core i5 3550k 3.7 ггц ОЗУ 8 Gig,Nvidia GeForce GTX 1050
Группа: Downloader
Сообщений: 955
18:54, 30.05.2020 №142
0
 
Радиаторы Gelid Lumen, украшенные подсветкой RGB, предназначены для модулей памяти

Прикрепленная картинка


Комплект стоит 9 евро

Ассортимент Gelid пополнили радиаторы Lumen, предназначенные для модулей памяти. Они украшены подсветкой RGB.


Радиаторы состоят из двух частей, которые прилегают к модулям с двух сторон, а в верхней части между ними находится элемент подсветки. Подсветка рассчитана на подключение к стандартному 3-контактному разъему. Она работает автоматически, не требуя внешнего аппаратного или программного обеспечения для выбора режимов.

Прикрепленная картинка


Прикрепленная картинка


Прикрепленная картинка


Прикрепленная картинка


Производитель заверяет, что Lumen поддерживает все типы и форм-факторы модулей памяти DDR2, DDR3, DDR4, предназначенных для настольных ПК. Как утверждается, радиаторы расширяют возможности разгона модулей, а яркая подсветка способна украсить игровой ПК. Стоит новинка 9 евро.

Источник:
https://www.ixbt.com/news/2020/05/28/gelid-lumen-rgb.html
Сколько бы ты не желал знать. Сколько бы ты не хотел чего либо иметь тебе всегда будет мало. Но лишь в конце ты осознаешь,что ты имеешь и имел всё о чём мог мечтать. А ведь этого не имели другие. А порой даже не знали об том что ты имеешь,чтобы хотеть иметь это.

Чем больше даёшь другим,тем больше тебе воздастся в будущем.

Халява есть всегда,просто некоторым лень её искать. Дари благо пока жив ибо тёмные времена наступают.

ОС:Windows 8.1 x64,Intel core i5 3550k 3.7 ггц ОЗУ 8 Gig,Nvidia GeForce GTX 1050
Группа: Живущий здесь
Сообщений: 235
20:00, 15.07.2020 №143
+ 4
 
Спецификация DDR5 SDRAM утверждена: ждём DDR5-4800, DDR5-6400 и далее

Комитет JEDEC, отвечающий за разработку и стандартизацию компьютерной памяти, объявил о готовности финальной версии спецификации DDR5 SDRAM. Новый тип памяти обещает стать причиной серьёзных изменений привычных платформ: стандарт предусматривает как минимум двукратное увеличение пиковых скоростей вместе с кратным ростом ёмкости модулей.

Прикрепленная картинка


Утверждение спецификации DDR5 профильным отраслевым комитетом открывает новому стандарту путь на рынок, и можно ожидать, что первые системы с DDR5 SDRAM появятся уже в следующем году. Но внедрение, очевидно, начнётся с серверного сегмента, в то время как в клиентских устройствах новая память обоснуется несколько позднее. Тем не менее, ввод в обиход модулей DDR5 SDRAM должен достаточно сильно изменить привычные вычислительные системы.

Основное внимание при разработке DDR5 SDRAM было уделено вопросам повышения производительности памяти, которая очевидным образом не поспевает за растущими потребностями многоядерных процессоров. Поэтому ожидается, что первые модули новой памяти со старта возьмут рубеж в 4,8 Гбит/с на контакт, то есть DDR5-4800. А впоследствии скорости будут прогрессировать до 6,4 Гбит/с. При этом стоит иметь в виду, что производители памяти для настольных систем часто выходят за рамки спецификаций, поэтому не стоит удивляться, если рано или поздно на рынке появятся в том числе и модули DDR5-8400 или им подобные.

В основе роста скоростей лежит не рост тактовой частоты ядер памяти, которая масштабируются с большим трудом. Вместо этого разработчики традиционно занимаются увеличением параллелизма. Ключевой идеей, внедрённой в стандарте DDR5, выступает разделение одного модуля на два независимых канала. Иными словами, в то время как в DDR4 данные передаются по шине шириной 64 бит, в DDR5 используется две независимые шины по 32 бит (или 40 бит с ECC). Попутно длина пакета (Burst Length) для каждого канала увеличена с 8 до 16, что выливается в пересылку по 64 байт за такт по каждому каналу одного модуля. Это значит, что при одинаковой частоте ядра технология DDR5 предлагает удвоение пропускной способности по сравнению с DDR4.

Прикрепленная картинка


Отдельно стоит подчеркнуть, что реализованная в DDR5 передача данных порциями по 64 байт позволяет синхронизировать работу оперативной памяти с функционированием типичной процессорной кеш-памяти, где также используются строки по 64 байт.

Вместе с другими изменениями, такими как раздельное обновление содержимого банков вместе с увеличением числа групп банков, всё это позволяет достичь дополнительного прироста реальной производительности благодаря снижению накладных расходов. Результаты моделирования показывают, что даже при сравнении модулей памяти DDR4 и DDR5 с формально одинаковой скоростью (например, 3,2 Гбит/с), новая память обеспечивает в 1,36 раза более высокую эффективную пропускную способность. При сравнении же DDR5-4800 и DDR4-3200 оценочная производительность первой оказывается выше в 1,87 раз.

Прикрепленная картинка


Ещё одним важным шагом вперёд стало увеличение предельной ёмкости одного чипа до 64 Гбит, что в 4 раза превышает ёмкость чипов DDR4. Таким образом, при штабелировании по 8 чипов в микросхеме и использовании 32 чипов на модуле (это возможно в случае LRDIMM) ёмкость одного модуля может быть доведена до внушительных 2 Тбайт. Впрочем, если говорить о небуферизованных DIMM для потребительских систем, то стандарт DDR5 делает возможным создание модулей объёмом по 128 Гбайт, что тоже довольно неплохо.

Спецификация DDR5 предполагает, что новые модули памяти будут требовать напряжения 1,1 В и улучшат свою энергоэффективность. При этом DIMM нового стандарта продолжат использовать 288-контактный форм-фактор. Впрочем, другое назначение выводов и изменённое расположение ключей в слоте не позволит по ошибке установить DDR5 DIMM в слоты для DDR4 SDRAM.

Стоит понимать, что сегодня речь идёт только о появлении стандарта, в то время как широкого распространения DDR5 SDRAM придётся подождать ещё как минимум год или полтора. AMD планирует внедрить работу с DDR5 лишь в архитектуре Zen 4, которая выйдет в 2022 году. Intel же начнёт поддерживать DDR5 SDRAM с серверных процессоров Sapphire Rapids, которые, вероятно, выйдут в следующем году.

здесь
Группа: Downloader
Сообщений: 955
18:29, 20.08.2020 №144
+ 1
 
Maze похитила 11 TБ данных у крупного поставщика оперативной памяти SK hynix

Прикрепленная картинка


Преступники опубликовали на своем сайте ZIP-архив размером 570 МБ, содержащий конфиденциальные данные компании.

Операторы вымогательского ПО Maze сообщили о взломе систем южнокорейской компании SK hynix, которая является третьим в мире производителем микросхем (после Intel и Samsung Electronics) и входит в пятерку ведущих производителей оперативной памяти.

На сайте киберпреступников опубликован ZIP-архив размером 570 МБ, который, по словам Maze, представляет собой лишь 5% от похищенных данных. Предположительно, вымогатели похитили около 11 ТБ данных в результате взлома сети южнокорейской корпорации.

Как сообщил источник изданию The Register, архив содержит конфиденциальные соглашения с компанией Apple о поставке флэш-памяти NAND, а также различные персональные и корпоративные файлы.

Группировка Maze в первую очередь известна своим одноименным вымогательским ПО. Операторы взламывают корпоративные сети компаний, похищают конфиденциальные файлы и затем шифруют данные, требуя выкуп за расшифровку. Если жертва отказывается платить выкуп и решает восстановить данные из резервных копий, преступники создают запись на своем «web-сайте утечек» и угрожают опубликовать конфиденциальные данные жертвы после второй попытки вымогательства. Затем жертве дается несколько недель, чтобы обдумать свое решение, и в противном случае Maze публикует файлы на своем портале.

Источник:

https://www.securitylab.ru/news/511334.php
Сколько бы ты не желал знать. Сколько бы ты не хотел чего либо иметь тебе всегда будет мало. Но лишь в конце ты осознаешь,что ты имеешь и имел всё о чём мог мечтать. А ведь этого не имели другие. А порой даже не знали об том что ты имеешь,чтобы хотеть иметь это.

Чем больше даёшь другим,тем больше тебе воздастся в будущем.

Халява есть всегда,просто некоторым лень её искать. Дари благо пока жив ибо тёмные времена наступают.

ОС:Windows 8.1 x64,Intel core i5 3550k 3.7 ггц ОЗУ 8 Gig,Nvidia GeForce GTX 1050
 
Доступ закрыт.
  • Вам запрещено отвечать в темах данного форума.